苏州锴威特半导体取得低损耗理想二极管专利
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2025-05-23 11:07:28
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，苏州锴威特半导体股份有限公司取得一项名为“一种低损耗理想二极管”的专利，授权公告号CN113285616B，申请日期为2021年06月。
天眼查资料显示，苏州锴威特半导体股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本7368.4211万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州锴威特半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可10个。
来源：金融界
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