紫光半导体申请一种MOS元件及其制备方法专利，改善其ESD能力
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2025-05-23 13:09:07
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种MOS元件及其制备方法”的专利，公开号CN120035184A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种MOS元件及其制备方法，该制备方法包括：在半导体衬底上形成STI结构；在形成有STI结构的半导体衬底上采用离子注入形成P型阱区和HV N型阱区；所述HV N型阱区注入N型离子，所述P型阱区注入P型离子，所述N型离子浓度低于所述P型离子浓度；在所述P型阱区或所述HV N型阱区上形成栅极结构，并在所述栅极结构的两侧分别形成源极区域和漏极区域。本发明的MOS元件含有P型阱区和HV N型阱区，通过在HV N型阱区注入低掺杂浓度的N型离子，在P型阱区注入常规掺杂浓度的P型离子，可以调整P/N结浓度进而提高其崩溃电压，从而改善其ESD能力。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息23条。
来源：金融界
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