华虹半导体申请改善栅氧化层漏电流方法专利 能够降低栅氧漏电
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2025-05-23 13:09:38
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善栅氧化层漏电流的方法”的专利，公开号CN120035204A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善栅氧化层漏电流的方法，提供衬底，在衬底上形成有NMOS器件和PMOS器件，形成覆盖NMOS器件和PMOS器件的层间介质层，在层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层定义出接触孔的形成区域，刻蚀层间介质层形成用于引出NMOS器件和PMOS器件源、漏区的接触孔，去除光刻胶层；将衬底设置于反应腔室中，在反应腔室中通入还原性气体，将还原性气体电离为第一等离子体，利用第一等离子体处理接触孔的表面；在反应腔室中通入氧化性气体，将氧化性气体电离为第二等离子体，利用第二等离子体处理接触孔的表面。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2913次，专利信息1656条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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