中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了半导体结构的可靠性_电子技术

中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高了半导体结构的可靠性

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2025-12-26 19:08:50

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121215606A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法在所述基底上形成第一无机层；在所述第一无机层上刻蚀金属结构凹槽；在所述金属结构凹槽内沉积第一金属层；在所述金属结构凹槽内且所述第一金属层的表面，沉积第二金属层；所述第二金属层用于连接半导体器件，所述第一金属层的刚性大于所述第二金属层；在所述第一无机层及所述第二金属层的表面形成第二无机层。所述方法提高了半导体结构的可靠性。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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