昕原半导体取得电阻式存储单元和电阻式存储器专利，提升电阻式存储单元的稳定性和可靠性_电子技术

昕原半导体取得电阻式存储单元和电阻式存储器专利，提升电阻式存储单元的稳定性和可靠性

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2025-12-26 21:09:18

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国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司取得一项名为“电阻式存储单元和电阻式存储器”的专利，授权公告号CN223730221U，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本实用新型公开了电阻式存储单元和电阻式存储器，电阻式存储单元包括：阻变层；第一电极层，设置于阻变层第一方向的第一侧；第二电极层，设置于阻变层第一方向与第一侧相对的第二侧；第一电极层包括多个第二方向间隔设置的第一子电极层，和/或，第二电极层包括多个第二方向间隔设置的第二子电极层。由此，通过使第一电极层包括多个第二方向间隔设置的第一子电极层，和/或，第二电极层包括多个第二方向间隔设置的第二子电极层，这样可以通过改变活性电极层，制备一个在局部位置团聚的活性电极层，从而可以将电荷集中，实现在固定位置形成导电丝，进一步地，可以削弱电阻式存储单元阻值的随机性，提升电阻式存储单元的稳定性和可靠性。

天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本5029.7258万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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