吉姆西半导体取得分区阳极机构专利，能够提高所有电镀区域的厚度一致性
创始人
2025-12-27 09:37:04
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国家知识产权局信息显示，吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司取得一项名为“分区阳极机构”的专利，授权公告号CN223723266U，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种分区阳极机构。其中分区阳极机构包括：分区主板、隔离件、至少两个阳极结构以及与至少两个与所述阳极结构一一对应的导电件；至少两个所述阳极结构排布在所述分区主板的第一表面上，同一个所述阳极结构在所述第一表面上的投影范围与基板上的同一个电镀区域相对应，每两个相邻的所述阳极结构之间通过所述隔离件分隔，所述阳极结构通过对应的所述导电件与外界电源电连接；所述分区主板用于连接基板。本申请实施例通过在不同的电镀区域设置对应的阳极结构进行电镀，能够实现对所有电镀区域的分别控制，进而能够提高所有电镀区域的厚度一致性，提升产品的质量。
天眼查资料显示，吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司，成立于2014年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本36715.6957万人民币。通过天眼查大数据分析，吉姆西半导体科技（无锡）股份有限公司共对外投资了32家企业，参与招投标项目224次，财产线索方面有商标信息37条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可44个。
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来源：市场资讯
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