北京集成电路装备创新中心申请半导体工艺腔室及设备专利,提高半导体工艺腔室的产能
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2025-12-27 16:07:34
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国家知识产权局信息显示,北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“半导体工艺腔室及设备”的专利,公开号CN121204611A,申请日期为2025年8月。

专利摘要显示,本发明提供一种半导体工艺腔室及设备,涉及半导体技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、承载组件、加热组件和冷却组件,其中,腔室本体内部具有腔体;承载组件设于腔体内,承载组件配置为:承载基片;加热组件设于腔体内并围设于承载组件,加热组件配置为:加热承载于承载组件的基片;冷却组件具有进气口和出气口,出气口位于腔体内,且出气口配置为:朝向加热组件吹送冷却气体,以对加热组件进行冷却降温。该半导体工艺腔室中的冷却组件能够对加热组件进行有效冷却,以减少冷却耗时,提高半导体工艺腔室的产能。

天眼查资料显示,北京集成电路装备创新中心有限公司,成立于2019年,位于北京市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析,北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目4次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息77条,此外企业还拥有行政许可6个。

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来源:市场资讯

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