北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，可以在不改变锗探测器响应度的同时提升带宽_电子技术

北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，可以在不改变锗探测器响应度的同时提升带宽

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2025-12-29 11:09:23

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121218719A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面形成有第一波导以及覆盖所述基底和第一波导的包覆层，所述第一波导的两侧中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区；第一介质层，位于所述包覆层表面；外延层，位于所述第一介质层、部分所述第一波导、部分所述第一轻掺杂区和第二轻掺杂区中；第三重掺杂区，位于部分外延层中；第四重掺杂区，位于部分外延层中，与第三重掺杂区相对；若干第五重掺杂区，位于靠近所述第三重掺杂区的外延层表面；若干第六重掺杂区，位于靠近所述第四重掺杂区的外延层表面，所述若干第五重掺杂区和若干第六重掺杂区构成交趾结构。本申请可以在不改变锗探测器响应度的同时提升带宽。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息475条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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