积塔半导体申请半导体结构制备方法专利，有效避免器件导通压降增大或离散现象_电子技术

积塔半导体申请半导体结构制备方法专利，有效避免器件导通压降增大或离散现象

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2025-12-29 17:09:03

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN121215614A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底内形成栅极结构及位于栅极结构上的隔离层，栅极结构沿平行衬底方向间隔排布；于沿平行衬底方向相邻的栅极结构之间形成接触孔，接触孔贯穿隔离层并沿垂直衬底的方向延伸至衬底内；采用第一预设沉积工艺形成第一阻挡层，并采用第二预设沉积工艺形成第二阻挡层，第一阻挡层随形覆盖接触孔的表面及隔离层的顶面，第二阻挡层随形覆盖第一阻挡层的表面；形成第一金属层，第一金属层至少部分覆盖第二阻挡层的外表面；形成第二金属层，第二金属层至少覆盖第一金属层的顶面。能够在大电流工作下减小工艺波动对器件导通压降参数影响，有效避免器件导通压降增大或离散现象。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1927次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1317条，此外企业还拥有行政许可200个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资器件离散金属层导体阻挡层结构专利栅极半导体衬底挡层隔离层

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