广州增芯申请半导体结构及其制备方法专利，半导体结构的导通电阻相对较小
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2025-12-29 19:09:01
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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121218648A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：有源区；漏区和源区，分别位于所述有源区内；耐压增强结构，位于所述有源区内，所述漏区和所述源区分别位于所述耐压增强结构两侧，所述耐压增强结构的底部的深度，在从漏区向源区的方向上逐渐减小；栅极，位于所述有源区的上方，且与所述源区相邻接，所述栅极覆盖部分所述耐压增强结构表面，以及覆盖所述耐压增强结构与所述源区之间的有源区表面。本申请半导体结构漏区与源区之间的电流路径可以相对较短，半导体结构的导通电阻相对较小；而且电流路径上的大角度变化相对较少，离化碰撞相对较少。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目45次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息179条，此外企业还拥有行政许可180个。
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来源：市场资讯
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