武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利 提高射频开关器件的击穿电压
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2025-05-23 18:13:19
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120035183A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；阱区，形成于所述半导体层中；栅极结构，形成于所述阱区上；第一S/D区和第二S/D区，分别形成于所述栅极结构两侧的阱区中；导电层，形成于所述绝缘埋层中，并至少位于所述栅极结构下方，所述导电层距离所述第二S/D区比距离所述第一S/D区近，其中，在工作状态下，所述第二S/D区的电势低于所述第一S/D区的电势。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目208次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1749条，此外企业还拥有行政许可105个。
来源：金融界
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