长鑫芯瑞申请半导体结构制备方法专利，提高了电容的性能
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2026-01-03 21:07:36
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国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器”的专利，公开号CN121262826A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成初始结构，初始结构包括绝缘层、硅层、沟槽、多个凹槽和第一电极；第一电极覆盖沟槽和多个凹槽的内壁；在第一电极的表面形成保护层；去除位于沟槽的内壁上的保护层和位于沟槽的内壁上的第一电极；去除位于凹槽的内壁上的保护层和部分靠近沟槽的绝缘层，暴露出凹槽表面的第一电极；在第一电极暴露的表面，依次形成覆盖第一电极的电介质层，以及，覆盖电介质层的第二电极，从而避免了直接干法刻蚀导致的下电极短路和下电极损坏的问题，在完成下电极隔断的同时，保证了下电极的完整性，提高了电容的性能。
天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息20条，此外企业还拥有行政许可1个。
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来源：市场资讯
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