济南晶恒电子申请双栅极界面电导调制横向二极管芯片专利，极大的降低正向压降
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2026-01-05 11:37:15
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国家知识产权局信息显示，济南晶恒电子有限责任公司申请一项名为“一种双栅极界面电导调制的横向二极管芯片”的专利，公开号CN121262837A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请涉及二极管芯片技术领域，尤其涉及一种双栅极界面电导调制的横向二极管芯片，包括沉底、P++区、N++区、钝化氧化层、栅极G2、栅极G1、隔离氧化层、金属电极；P++区、N++区均在沉底上由扩散的方法形成；钝化氧化层设于沉底上表面；栅极G2和栅极G1分别设置于钝化氧化层两侧顶部；隔离氧化层设置于栅极G2和栅极G1之间，本申请巧妙的将电极与栅极并联，利用mos原理，在钝化氧化层下方感应电荷，从而降低芯片的电阻率，极大的降低正向压降。
天眼查资料显示，济南晶恒电子有限责任公司，成立于1997年，位于济南市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶恒电子有限责任公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目98次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可27个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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