华虹半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体器件的击穿电压_电子技术

华虹半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体器件的击穿电压

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2026-01-06 14:37:23

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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121285042A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；第一栅极，所述第一栅极位于所述衬底上；第一侧墙，所述第一侧墙位于所述第一栅极的侧壁；第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙远离所述第一栅极的一侧的侧壁。所述第二侧墙位于所述第一侧墙远离所述第一栅极的一侧的侧壁，所述第二侧墙增大了位于第一栅极的侧壁的侧墙的厚度，从而提升半导体器件的击穿电压，改善半导体器件的性能。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1962条，此外企业还拥有行政许可117个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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