誉鸿锦电子申请MOS管倒装芯片封装结构专利，提高了MOS芯片的封装效果
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2026-01-13 17:36:57
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国家知识产权局信息显示，江西誉鸿锦电子技术有限公司申请一项名为“一种MOS管倒装芯片封装结构及其封装方式”的专利，公开号CN121311099A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及MOS管倒装芯片封装领域，特别涉及一种MOS管倒装芯片封装结构及其封装方式。包括底板组件，所述底板组件上安装有第一封装组件；本发明中增强型E模MOS芯片固定在MOS芯片独立固晶区，增强型E模MOS芯片源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘与陶瓷基板的源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘用焊线材料导通；D模耗尽型MOS芯片固定在独立固晶区，低压MOS芯片固定在独立固晶区，D模耗尽型MOS芯片的源极和陶瓷基板的低压MOS芯片的独立固晶区用焊线材料导通，低压MOS芯片的源极焊盘和陶瓷基板的源极独立焊盘导通，D模耗尽型MOS芯片的栅极焊盘和陶瓷基板的栅极用焊线材料导通，带动两组陶瓷基板进行封装工作，提高了MOS芯片的封装效果。
天眼查资料显示，江西誉鸿锦电子技术有限公司，成立于2021年，位于抚州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西誉鸿锦电子技术有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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