中砥半导体申请磷化铟籽晶高精度制备方法专利，有效解决了效率低、精度差、损伤多三大行业痛点_电子技术

中砥半导体申请磷化铟籽晶高精度制备方法专利，有效解决了效率低、精度差、损伤多三大行业痛点

创始人

2026-01-19 20:46:29

0次

国家知识产权局信息显示，中砥半导体技术（江苏）有限公司申请一项名为“一种磷化铟籽晶的高精度制备方法”的专利，公开号CN121321238A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种磷化铟籽晶的高精度制备方法，该方法包括以下步骤：对磷化铟单晶锭进行晶向校准，然后使用空心钻头进行垂直钻孔形成圆柱形粗坯，将圆柱形粗坯进行酸洗预处理后抛光，将抛光后籽晶浸入涂覆液中生成致密抗氧化层，随后超声清洗、精密检测合格所得即为磷化铟籽晶。本发明通过晶向校准保障单晶生长轴向一致性，金刚石涂层空心钻头一步成型同步解决加工效率与热应力微裂纹问题，酸洗预处理为梯度抛光创造均匀基底，分级机械抛光与复合化学抛光协同消除亚表面损伤，辅以二氧化硅溶胶在乙醇调控下的阶梯固化形成致密抗氧化层最终达成半导体级标准，有效解决了效率低、精度差、损伤多三大行业痛点。

天眼查资料显示，中砥半导体技术（江苏）有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1083.3333万人民币。通过天眼查大数据分析，中砥半导体技术（江苏）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资效率半导体籽晶精度损伤江苏专利高精度铟籽晶粗坯抗氧化层

上一篇：惠伦晶体：产品TCXO已经应用于卫星通信及北斗导航领域

下一篇：【机构调研记录】天弘基金调研晶升股份

中砥半导体申请磷化铟籽晶高精度制备方法专利，有效解决了效率低、精度差、损伤多三大行业痛点

相关内容

热门资讯