宏微科技申请SiC MOSFET器件及其制备方法专利，提高了芯片的电流密度
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2026-01-23 14:12:46
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国家知识产权局信息显示，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为“SiC MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121368145A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明属于SiC MOSFET器件技术领域，具体涉及一种SiC MOSFET器件及其制备方法。本发明的SiC MOSFET制备方法通过将现有的常规Pwell版、N+版和P+版三次光刻工艺简化为只有一次Pwell版工艺，其中关键的N+版改为由两次阻挡层淀积后，单独刻蚀掉第二阻挡层形成N+窗口区域，使Pwell、N+和P+之间都形成了自对准，简化了工艺流程，减小了窗口最小尺寸，可以使元胞宽度由原来的3um以上减小到2.5um以内，提高了元胞密度17%以上，提高了芯片的电流密度。
天眼查资料显示，江苏宏微科技股份有限公司，成立于2006年，位于常州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本21288.4185万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏宏微科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息282条，此外企业还拥有行政许可28个。
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来源：市场资讯
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