杰华特微电子申请半导体器件及其制造方法专利，达到检测晶体管源漏两端电压的目的
创始人
2025-05-24 20:04:27
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，杰华特微电子股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120033181A，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，以及置于衬底上的：第一晶体管，包括栅极区，源极区以及漏极区；第一多晶硅电阻，连接在栅极区和漏极区之间；第二多晶硅电阻，连接在漏极区和源极区之间；其中，第二多晶硅电阻包括串联连接的第一分压电阻和第二分压电阻；获取第一分压电阻与第二分压电阻连接端的电压用于表征源极区和漏极区之间的电压，该半导体器件通过在衬底上设置多晶硅分压电阻从而达到检测晶体管源漏两端电压的目的。
天眼查资料显示，杰华特微电子股份有限公司，成立于2013年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本44688万人民币。通过天眼查大数据分析，杰华特微电子股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息35条，专利信息1029条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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