科磊申请用于高速电阻式栅极传感器的偏置及读出方法专利，可减少滞后且改进操作速度
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2026-01-24 17:11:27
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国家知识产权局信息显示，科磊股份有限公司申请一项名为“用于高速电阻式栅极传感器的偏置及读出方法”的专利，公开号CN121400091A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，光子或电子检测器可包含具有经施加以减少滞后且改进操作速度的电压梯度的多晶硅电阻式栅极。所述多晶硅电阻式栅极可为经重度掺杂有供体原子或受体原子且经离子植入有非电活性物种的经掺杂多晶硅。所述非电活性物种可以一定图案植入以形成具有不同电阻率的多个离子植入区。所述离子植入区以选定图案形成以控制所述多晶硅电阻式栅极的电阻率且修改跨越所述经差分偏置多晶硅电阻式栅极的横向电场。X射线检测器还可包含具有电流模式差分连接的电路元件以改进时钟馈通及功率耗散特性。
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