华进半导体申请重布线结构及其形成方法专利，提高相邻信号线之间的信号隔离质量
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2026-01-24 17:12:26
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国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“重布线结构及其形成方法”的专利，公开号CN121398628A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种重布线结构及其形成方法，其中重布线结构包括：至少一重布线层；所述重布线层包括：沿第一方向延伸的若干信号线和若干接地线；所述信号线及所述接地线沿第二方向交替分布，所述第一方向与所述第二方向垂直。所述重布线层内的信号线和接地线沿第二方向交替分布，使得同一层的重布线层内相邻的信号线之间能够通过接地线隔离，提高相邻信号线之间的信号隔离质量，减少相邻信号线之间的串扰，进而提高信号传输质量以及芯片的性能。
天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本46246.82万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目104次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1117条，此外企业还拥有行政许可55个。
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来源：市场资讯
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