上海光通信申请半导体结构及制备方法专利，抑制不利氧对栅极阈值电压改变和载流子迁移率的影响
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2026-01-24 17:40:25
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国家知识产权局信息显示，上海光通信有限公司申请一项名为“一种半导体结构及制备方法、集成电路”的专利，公开号CN121398103A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请公开一种半导体结构及制备方法、集成电路，该半导体结构包括衬底以及形成在衬底的上表面的栅极结构。该栅极结构包括在所述衬底上依次形成的第一介质层、第一阻挡层及金属导电层。该第一阻挡层含有具有亲氧功能的金属元素，该第一阻挡层靠近第一介质层的部位含有的金属元素浓度大于该第一阻挡层远离第一介质层的部位含有的金属元素浓度。该半导体结构可以抑制不利氧对半导体结构的栅极阈值电压改变和载流子迁移率的影响，从而保证栅极结构的电学性能表现。
天眼查资料显示，上海光通信有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2038786.497万人民币。通过天眼查大数据分析，上海光通信有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目56次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可182个。
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来源：市场资讯
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