株洲半导体申请第三代半导体结构及其制备方法专利，在三维空间中拓展源极利用面积
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2026-01-26 11:46:10
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国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121398106A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。其中，半导体结构包括基底；源区，位于基底上方，源区内设置有多个体二极管源极接触区；体二极管源极接触区的离子类型与源区的离子类型不同，以在垂直于基底的方向上形成PN结；源极，位于源区上方，源极与源区、多个体二极管源极接触区接触连接。本申请提供的半导体结构，通过在源区内设置有多个体二极管源极接触区，在三维空间内形成不同离子类型的区域交叉分布，实现P屏蔽区与源极充分短接的同时，在三维空间中拓展源极利用面积，使电流的传导路径从传统的单一方向扩展为三维方向流动，避免元胞缩小导致的欧姆接触电阻大幅度增加。
天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3012次，专利信息591条，此外企业还拥有行政许可87个。
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来源：市场资讯
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