晶合集成申请一种图像传感器及其制作方法专利，提高图像传感器的光响应范围和效率_电子技术

晶合集成申请一种图像传感器及其制作方法专利，提高图像传感器的光响应范围和效率

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2026-01-27 18:45:47

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制作方法”的专利，公开号CN121398180A，申请日期为2025年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域，所述图像传感器包括：衬底；光电二极管，设置在所述衬底中，且所述光电二极管中设置有第一凹部；深沟槽隔离结构，设置在所述衬底中，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电二极管之间，所述深沟槽隔离结构包括透光石墨烯层，所述透光石墨烯层与所述光电二极管贴合；光电响应区，在所述第一凹部中填充石墨烯层形成所述光电响应区，且沿着所述光电响应区的宽度方向，所述光电响应区的深度先增大后减小。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法，可提高图像传感器的光响应范围和效率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1586条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业范围投资沟槽集成图像传感器晶合专利二极管深沟槽光电图像传感器烯层

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