爱思开海力士申请半导体封装专利，形成包括连接到上模制部分的下模制部分的模制层
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2026-01-29 10:13:00
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体封装”的专利，公开号CN121419647A，申请日期为2021年4月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体封装。公开了一种半导体封装及其制造方法。半导体芯片可以被设置在具有穿过其形成的通气孔的封装基板上，并且可以形成包括连接到上模制部分的下模制部分的模制层。封装基板可以包括具有多个单元区域的基板主体、设置在单元区域中的球形凸台、以及跨越单元区域并延伸到位于单元区域的外部的边缘区域中的第一坝图案和第二坝图案。
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来源：市场资讯
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