杰冠微电子申请低反向恢复损耗SiC MPS芯片专利，实现芯片的综合性能提升_电子技术

杰冠微电子申请低反向恢复损耗SiC MPS芯片专利，实现芯片的综合性能提升

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2026-01-29 16:42:01

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国家知识产权局信息显示，扬州杰冠微电子有限公司申请一项名为“一种低反向恢复损耗的SiC MPS芯片及制备方法”的专利，公开号CN121419264A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种低反向恢复损耗的SiC MPS芯片及制备方法。包括从下而上依次设置的背面金属层、SiC Sub层、SiC Epi层、场氧层、钝化层和聚酰亚胺层；所述SiC Epi层上设有：P+区，设有多个，分别从所述SiC Epi层顶面向下延伸，位于所述SiC Epi层的源区和终端位置；N+区，设有多个，分别从所述SiC Epi层顶面向下延伸，位于所述源区中P+区的侧部；欧姆接触金属，设有多个，分别位于所述源区中P+区的顶部；肖特基金属，从所述场氧层顶面向源区延伸，底面分别与所述欧姆接触金属、P+区（3）、N+区和场氧层连接；所述肖特基金属顶面设有正面金属层。本发明针对SiC MPS芯片，通过在SiC Epi层源区位置上形成高掺杂的N+区，来实现芯片的综合性能提升。

天眼查资料显示，扬州杰冠微电子有限公司，成立于2022年，位于扬州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州杰冠微电子有限公司参与招投标项目4次，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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