安盈半导体申请阻抗自适应高频探针专利，能显著降低探针阵列的阻抗离散
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2026-01-30 11:42:04
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国家知识产权局信息显示，安盈半导体技术（常州）有限公司申请一项名为“一种阻抗自适应高频探针、探针卡及测试方法”的专利，公开号CN121410308A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种阻抗自适应高频探针、探针卡及测试方法，属于半导体高频测试技术领域。现有高频探针在压接测试时，其导电针体因接触压力产生机械变形，导致特性阻抗发生偏移，且阵列内压力不均会引发阻抗离散。本发明通过在导电针体外侧包覆一种复合材料层来解决问题，该层由弹性绝缘基体和分散于其中的金属颗粒构成，且金属颗粒具有双峰粒径分布，总体积分数为30%~40%。当探针受压时，该复合材料层发生可逆微观重构，其有效介电常数随压力增大而升高，所产生的阻抗变化可抵消导电针体形变引起的阻抗下降，从而实现探针特性阻抗在压力变化下的自适应稳定。本发明能显著降低探针阵列的阻抗离散，提高高频测试的一致性与精度，且工艺兼容性好。
天眼查资料显示，安盈半导体技术（常州）有限公司，成立于2020年，位于常州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，安盈半导体技术（常州）有限公司参与招投标项目4次，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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