新存科技申请半导体结构及存储器系统专利,提高存储单元的热效率
创始人
2026-01-31 17:09:52
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国家知识产权局信息显示,新存科技(武汉)有限责任公司申请一项名为“一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法”的专利,公开号CN121442961A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本公开实施例提供了一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法,其中,半导体结构包括:沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及沿第三方向设置于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元,其中,第一方向和第二方向均垂直于第三方向,第一方向和第二方向相交。相变存储单元至少包括:沿第三方向依次层叠设置的选通层、热阻层及存储层。

天眼查资料显示,新存科技(武汉)有限责任公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析,新存科技(武汉)有限责任公司共对外投资了9家企业,参与招投标项目5次,专利信息197条。

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来源:市场资讯

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