钠存科技申请RRAM存储器及其制作方法专利，提升了RRAM的存储密度
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2026-01-31 20:11:20
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国家知识产权局信息显示，钠存科技（杭州）有限公司申请一项名为“一种RRAM存储器及其制作方法”的专利，公开号CN121442964A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种RRAM存储器及其制作方法，涉及存储器技术领域。该RRAM存储器包括：底部结构；其中，底部结构包括金属层；位于金属层上的下电极；分别位于下电极顶部两侧的第一存储结构与第二存储结构；其中，第一存储结构与第二存储结构均包括逐层设置的阻变层、氧交换层以及上电极，且阻变层与下电极接触位置设置为阶梯形；环绕设置于下电极、第一存储结构以及第二存储结构外的超低K介质层与覆盖层。本申请提供的RRAM存储器及其制作方法具有提升了RRAM的存储密度、增强了器件稳定性及减小了工作功耗的优点。
天眼查资料显示，钠存科技（杭州）有限公司，成立于2024年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本117.6471万人民币。通过天眼查大数据分析，钠存科技（杭州）有限公司专利信息3条。
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来源：市场资讯
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