豪威科技申请用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法专利，将光电二极管与相邻光电二极管隔离
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2026-01-31 22:41:03
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国家知识产权局信息显示，豪威科技股份有限公司申请一项名为“用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法”的专利，公开号CN121442806A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本申请案涉及一种用于图像传感器的分叉深沟槽隔离结构及其方法。描述一种包括光电二极管及分叉深沟槽隔离(DTI)结构的图像传感器。所述光电二极管安置于具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧的半导体衬底内。所述分叉DTI结构经配置以将所述光电二极管与包含于所述图像传感器中的相邻光电二极管隔离。所述分叉DTI结构包含：沟槽，其安置于所述半导体衬底内，在所述第一侧与所述第二侧之间；分叉结构，其安置于所述沟槽内且包含第一叉头、第二叉头及中间部分以在所述沟槽内形成第一空腔；及第二空腔，其安置于所述沟槽内。所述第一空腔包含第一材料且所述第二空腔包含第二填充材料。
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