美仁半导体申请单电阻采样方法专利，避免低调制比场景下进行单电阻采样带来的异响问题
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2026-02-02 21:43:41
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国家知识产权局信息显示，上海美仁半导体有限公司申请一项名为“单电阻采样方法、装置、电器和存储介质”的专利，公开号CN121441173A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种单电阻采样方法、装置、电器和存储介质。方法包括在电机的脉宽调制信号位于第一调制比区域的情况下，停止单电阻采样并基于预设的电压开环控制策略，对所述电机进行运行控制，所述单电阻采样的采样电阻位于所述电机的直流母线；在电机的脉宽调制信号位于第二调制比区域的情况下，执行所述单电阻采样；基于所述单电阻采样得到的电流信号和预设的电流闭环控制策略对所述电机进行运行控制，所述第二调制比区域对应的调制比大于所述第一调制比区域对应的调制比。可在使用成本较低的单电阻采样方案节省成本的情况下，避免低调制比场景下进行单电阻采样带来的异响问题。
天眼查资料显示，上海美仁半导体有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本7800万人民币。通过天眼查大数据分析，上海美仁半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可1个。
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