英飞凌科技申请MEMS传感器装置和制造方法专利，实现压力传感器与声换能器的竖直堆叠集成
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2026-02-05 16:16:37
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“MEMS传感器装置和用于制造MEMS传感器装置的方法”的专利，公开号CN121462956A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及MEMS传感器装置和用于制造MEMS传感器装置的方法。一种MEMS传感器装置(100)包括竖直堆叠且机械耦合配置的衬底(10)、压力传感器结构(12)和声换能器结构(14)，其中压力传感器结构(12)被布置在衬底(10)与声换能器结构(14)之间，其中通孔(16)延伸穿过衬底(10)和压力传感器结构(12)且形成到声换能器结构(14)的声音端口(16)，其中声换能器结构(14)跨越通孔(16)，且其中压力传感器结构(12)包括与通孔(16)流体连接的压力传感器元件(18)。
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