积塔半导体申请半导体结构及其形成方法专利，改善半导体结构的性能
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2026-02-05 22:12:50
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121463479A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底内的掺杂区，所述掺杂区中包括掺杂元素；于所述衬底的表面形成拉应力介质层，所述拉应力介质层中具有多个针孔，所述针孔用于排出所述衬底中的气体。本发明避免了因气体或者气态产物逸出衬底而在衬底和介质层之间形成气泡状缺陷的问题，从而改善半导体结构的性能，提高半导体结构的制造良率。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1951次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1348条，此外企业还拥有行政许可200个。
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来源：市场资讯
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