艾创微电子申请氮化镓器件结构专利，提高整个栅极金属上的电位均匀性
创始人
2026-02-06 13:47:00
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国家知识产权局信息显示，合肥艾创微电子科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件结构”的专利，公开号CN121463481A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓器件结构，包括多个单胞单元，相邻单胞单元的栅极金属之间通过栅极电极连接带电连接，相邻单胞单元的第一栅极金属相互连通，所述第一栅极金属与栅极电极连接带之间通过垂直互连结构电连接，所述第一栅极金属与栅极金属在垂直方向上重叠，该第一栅极金属的方块电阻值R1低于栅极金属的方块电阻值R2。本发明在栅极金属与第一栅极金属之间通过栅极电极连接带进行电连接，电流可以通过栅极电极连接带均匀的导入到栅极金属的长度方向上多个位置，由于第一栅极金属电阻值较小的缘故，栅极金属的长度方向上多个位置的电位比较均匀，电位下降比较平均，从而提高整个栅极金属上的电位均匀性。
天眼查资料显示，合肥艾创微电子科技有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1577.7778万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥艾创微电子科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可9个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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