积塔半导体申请半导体测试结构及其制备方法专利，确定位错缺陷的修复效果
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2026-02-07 16:40:38
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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其制备方法”的专利，公开号CN121487587A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体测试结构及其制备方法，包括：衬底、栅极区；衬底内包括沿第一方向及/或第二方向间隔分布的多个有源区，以及经由衬底的第一表面向多个有源区内延伸的多个第一接触插塞；多个第一接触插塞沿第二方向间隔排列；第一方向、第二方向相交且均平行于衬底的顶面；栅极区位于第一表面的第一接触插塞之间，并沿第一方向延伸；其中，栅极区底面与多个有源区的顶面重叠的区域，用于构成目标测试结构；根据目标测试结构执行位错缺陷修复工艺前后获取的漏电，确定位错缺陷的修复效果。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1790638.7534万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1954次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1352条，此外企业还拥有行政许可200个。
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来源：市场资讯
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