杰华特申请LDMOS器件的制造方法专利，能够大幅地降低器件的比导通电阻
创始人
2026-02-11 16:17:18
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国家知识产权局信息显示，杰华特微电子股份有限公司申请一项名为“LDMOS器件的制造方法”的专利，公开号CN121487284A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请提供了一种LDMOS器件的制造方法，该制造方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层和栅极导体层；在源端区域对栅极导体层和栅氧化层进行刻蚀，形成第一注入窗口；经由第一注入窗口在衬底顶部自对准注入离子形成具有第一掺杂类型的体区注入区；对栅极导体层和栅氧化层进行再次刻蚀，以拓宽第一注入窗口，形成第二注入窗口；经由第二注入窗口在衬底顶部注入离子形成具有第一掺杂类型的体区，以及在体区中自对准注入离子形成具有第二掺杂类型的源极注入区。本申请方案利用多晶硅刻蚀工艺的高精度来实现更小的注入区线宽，获得了更小的元胞节距，进而能够大幅地降低器件的比导通电阻。
天眼查资料显示，杰华特微电子股份有限公司，成立于2013年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本45032.1609万人民币。通过天眼查大数据分析，杰华特微电子股份有限公司共对外投资了46家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息36条，专利信息1103条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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