爱思开海力士申请半导体器件及制造方法专利，能够防止单元之间泄漏电流
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2026-02-11 18:15:23
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件以及制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN121510597A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，公开了一种能够防止单元之间泄漏电流的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：下电极，其形成在衬底之上；以及支撑件，其覆盖下电极的侧面的一部分和上表面，并且包括具有比下电极的材料高的功函数的材料。
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