华虹宏力申请高压隔离环结构专利，显著提升结构的穿通击穿电压
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2026-02-11 20:12:50
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“高压隔离环结构”的专利，公开号CN121510642A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种高压隔离环结构，该结构包括：第二导电类型半导体衬底；形成于其上的第一导电类型外延层；形成于外延层中的横向扩散金属氧化物半导体结构；以及设置于衬底与外延层界面区域的第二导电类型埋层。第二导电类型埋层沿衬底深度方向具有至少两个位于不同深度的掺杂浓度峰值。通过在衬底深处形成一个或多个额外的掺杂浓度峰值，可以精确调整埋层的电阻率剖面，增加深层区域的电阻，有效抑制穿通漏电路径，从而在不增加额外光刻掩模、不牺牲关断耐压性能的前提下，显著提升结构的穿通击穿电压，解决了采用超高电阻率衬底时穿通击穿电压偏低的问题，提高了高压集成电路的可靠性。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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来源：市场资讯
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