南京伟创电子申请去除锗熔体表面浮渣方法专利，提高成晶率和锗单晶品质
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2026-02-16 15:12:49
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国家知识产权局信息显示，南京伟创电子有限公司申请一项名为“一种去除锗熔体表面浮渣的方法”的专利，公开号CN121519144A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种去除锗熔体表面浮渣的方法，属于晶体生长技术领域，包括如下步骤：1）将一定量的区熔锗锭投入洗料釜，然后向洗料釜注入去离子水覆盖住锗锭；2）加热直至70℃～100℃，向洗料釜加入氨水或胺类化合物中的任意一种或多种，浓度5%～25%，纯度为分析纯、EL级或UP级中的任意一种，加入量为去离子水体积的0.2%～5%；3）2min～10min后，继续向洗料釜内加入过氧化氢，浓度20%～45%，加入量为去离子水体积的5%～15%；本发明通过改变锗锭清洗方法、烘干方法以及化料时通入适量氢气还原氧化锗，从而在晶体生长前期完全去除浮渣，来提高成晶率和锗单晶品质。
天眼查资料显示，南京伟创电子有限公司，成立于2020年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，南京伟创电子有限公司参与招投标项目5次，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可3个。
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