拓荆创益申请远端等离子体源底座及半导体工艺设备专利，包括上底座和下底座
创始人
2025-05-27 09:04:17
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“远端等离子体源底座以及半导体工艺设备”的专利，公开号CN120048717A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了远端等离子体源底座及半导体工艺设备。远端等离子体源底座包括上底座和下底座。下底座内部具有气体导引管路以及位于气体导引管路下方的通气装置。等离子体从上底座进入气体导引管路。通气装置包括至少一个匀气层、至少一个保护气体进气口、至少一组气体通道。所述至少一个保护气体进气口位于所述至少一个匀气层的底部，所述至少一组气体通道与所述至少一个匀气层和所述气体导引管路连通。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息293条，此外企业还拥有行政许可10个。
来源：金融界
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