芯联集成申请半导体器件及其制造方法专利，显著降低器件整体集成电路的漏电风险_电子技术

芯联集成申请半导体器件及其制造方法专利，显著降低器件整体集成电路的漏电风险

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2026-02-18 22:43:18

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国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121548044A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成衬垫层；在衬垫层对应逻辑单元区域的部分中形成底部延伸至逻辑单元区域内的第一浅沟槽隔离结构，在衬垫层对应闪存单元区域的部分中形成底部延伸至闪存单元区域内的第二浅沟槽隔离结构；对第二浅沟槽隔离结构进行减薄处理，使第二浅沟槽隔离结构的顶面低于第一浅沟槽隔离结构的顶面；去除衬垫层；在闪存区域上形成包含栅氧层、浮栅层、隔离层及控制栅层的闪存单元。本申请规避了相关技术中因优先适配闪存单元区域需求，而导致逻辑单元区域的第一浅沟槽隔离结构的台阶高度偏低的弊端，既能保障逻辑单元区域后续工艺集成效果与器件性能，又能显著降低器件整体集成电路的漏电风险。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1737次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息795条，此外企业还拥有行政许可43个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法投资沟槽降低单元器件隔离集成专利芯联衬垫

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