制局半导体申请带有金属键合的芯片封装互联结构专利，可实现芯片封装的高密度互连
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2026-02-27 10:43:04
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国家知识产权局信息显示，制局半导体（南通）有限公司申请一项名为“带有金属键合的芯片封装互联结构及其制作方法”的专利，公开号CN121586504A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明揭示了带有金属键合的芯片封装互联结构和芯片封装互联方法，芯片封装结构包括第一线路结构和第二线路结构，所述第一线路结构具有第一表面和第一键合区，若干所述第一键合区间隔排列于所述第一表面，所述第二线路结构具有第二表面和第二键合区，若干所述第二键合区间隔排列于所述第二表面，所述第一键合区和所述第二键合区一一对应连接；所述第一键合区具有面向所述第二键合区的第一键合面，所述第二键合区具有面向所述第一键合区的第二键合面，所述芯片封装结构包括键合连接所述第一键合面和所述第二键合面的纳米金属层；通过优化材料和工艺，该封装互联结构和方法可实现芯片封装的高密度互连。
天眼查资料显示，制局半导体（南通）有限公司，成立于2024年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，制局半导体（南通）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息60条。
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