昌德微电子取得超大电流平面IGBT芯片封装方法专利
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2026-03-03 10:42:14
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国家知识产权局信息显示，无锡昌德微电子股份有限公司取得一项名为“一种超大电流平面IGBT芯片的封装方法”的专利，授权公告号CN120473395B，申请日期为2025年5月。
天眼查资料显示，无锡昌德微电子股份有限公司，成立于1995年，位于无锡市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡昌德微电子股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可7个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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