上海积塔半导体申请一种半导体工艺方法及半导体结构专利，减少第一类薄膜表面产生颗粒的概率_电子技术

上海积塔半导体申请一种半导体工艺方法及半导体结构专利，减少第一类薄膜表面产生颗粒的概率

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2025-05-27 14:08:02

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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种半导体工艺方法及半导体结构”的专利，公开号CN120048746A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，方法包括：液源生长n层第一类薄膜和m层第二类薄膜；液源生长每层不大于预设厚度的第一类薄膜后进行紫外线照射处理；液源生长每层大于预设厚度的第二类薄膜后进行精抛。本发明通过紫外线照射液源生长的第一类薄膜，光分解较薄的第一类薄膜的有机颗粒，减少第一类薄膜表面产生颗粒的概率；同时精抛处理液源生长的第二类薄膜，去除较厚的第二类薄膜紫外光无法去除而残留的表面颗粒；另外通过控制紫外线照射处理时间和波长范围，保证第一类薄膜有机颗粒去除效果并避免第一类薄膜质量；最后通过控制精抛的减薄厚度、速度和研磨垫颗粒尺寸，保证第二类薄膜表面颗粒去除并避免影响第二类薄膜的电气性能。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1820次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

企业方法显示薄膜颗粒表面导体工艺结构专利液源半导体

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