英飞凌科技申请用于形成光学封装体的方法专利，在半导体晶片表面形成图案化硬掩模
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2026-03-07 19:48:27
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“用于形成光学封装体的方法”的专利，公开号CN121609290A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及用于形成光学封装体的方法。本公开提供一种用于形成光学封装体的方法。方法包括：在半导体晶片的表面上形成图案化的硬掩模。附加地，方法包括：在多个凹槽中在半导体晶片的表面上形成相应的光致抗蚀剂结构。在相应的凹槽中被相应的光致抗蚀剂结构覆盖的表面积的大小取决于相应的凹槽在半导体晶片上的位置。方法还包括：执行第一蚀刻工艺。在第一蚀刻工艺中，在未被光致抗蚀剂结构覆盖的位置处，半导体晶片在凹槽中被蚀刻。此外，方法包括：在执行第一蚀刻工艺之后，去除光致抗蚀剂结构，并且在去除光致抗蚀剂结构之后，执行第二蚀刻工艺。在第二蚀刻工艺中，通过降低在第一蚀刻工艺中形成的结构，半导体晶片在凹槽中被蚀刻以形成腔体。
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来源：市场资讯
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