半导体元件工业申请半导体器件及制造方法专利，提供半导体器件及形成半导体器件的方法
创始人
2026-03-10 23:11:16
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“半导体器件及制造方法”的专利，公开号CN121645951A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本公开提供了半导体器件及形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一边缘区域处的第一终止沟槽和在第二边缘区域处的第二终止沟槽。第一有源沟槽从该第一终止沟槽朝向该第二终止沟槽延伸并且终止于第一尖端区域，该第一尖端区域通过终止台面区域与该第二终止沟槽分离。第二有源沟槽从该第二终止沟槽朝向该第一终止沟槽延伸并且终止于第二尖端区域，该第二尖端区域通过该终止台面区域与该第一终止沟槽分离。第一栅极接触沟槽连接到该第一边缘区域内的该第一终止沟槽。耦接沟槽位于第三边缘区域处并且连接到该第二终止沟槽，该耦接沟槽包括将该耦接沟槽耦接到该第一栅极接触沟槽的拐角部分。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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