国家知识产权局信息显示,芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“高压电容隔离器及其制造方法”的专利,公开号CN121645907A,申请日期为2026年2月。
专利摘要显示,本发明公开了一种高压电容隔离器及其制造方法,属于微电子器件技术领域,该高压电容隔离器的制造方法,包括在基底表面生长下极板,在下极板的顶部沉积第一介质层;在第一介质层上沉积第二金属层,刻蚀第二金属层形成浮动导体环;在浮动导体环上依次沉积第二介质层和第三金属层,刻蚀第三金属层形成上极板,浮动导体环电位自由浮动,且在基底上的投影,与上极板或下极板在基底上的投影存在至少部分重叠,用于抵消极板边缘的电场发散;在上极板的顶部依次形成钝化层和保护层。通过在电容器内部极板之间插入一个电位自由浮动的浮动导体环,抵消原极板边缘的电场发散,从而优化边缘电场分布,改善早夭点问题。
天眼查资料显示,芯联集成电路制造股份有限公司,成立于2018年,位于绍兴市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析,芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业,参与招投标项目1726次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息807条,此外企业还拥有行政许可43个。
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来源:市场资讯