南亚科技申请半导体结构及其形成方法专利，半导体结构提高字元线的性能
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2026-03-13 15:51:49
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121645850A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、字元线及介电层。字元线嵌入基板中，字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层，其中高功函数层的功函数大于低功函数层的功函数。介电层在基板与字元线之间，介电层包括第一部分及第二部分。第一部分在基板与高功函数层之间。第二部分在基板与低功函数层之间，其中第二部分的厚度大于第一部分的厚度。半导体结构提高字元线的性能。例如字元线的栅极与可设置在字元线上的其他元件之间的电场可减小，从而减小电场对字元线性能的干扰。半导体结构中栅极引发漏极漏电流可减小。不使用气隙取代介电材料可避免气隙引起的介电常数下降，因此防止在操作字元线时对字元线的栅极的控制的下降。
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来源：市场资讯
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