三安半导体申请发光二极管及发光装置专利，提升发光二极管可靠性
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2026-03-14 23:19:09
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121665799A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管中电极结构的上表面具有开口部，电极结构具有分界线位于所述开口部的底部区域内的第一部分及第二部分，上述第一部分的金属连续性优于第二部分的金属连续性，即第一部分的金属膜层的完整性优于第二部分的金属膜层的完整性，优选地，第一部分不存在裂纹、孔洞等破坏其连续性或完整性的缺陷；或者其裂纹程度（裂纹间隙）或孔洞率（孔隙率）也远小于第二部分的裂纹程度或孔洞率。由此使得电极结构中至少上述第一部分连续且均匀地覆盖至电极通孔的侧壁上，该第一部分足以保证发光二极管的良好导电性能，同时由于电极结构具有良好的覆盖性及均匀性，发光二极管的可靠性同样能够得到提升。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息637条，此外企业还拥有行政许可406个。
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来源：市场资讯
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