兴福电子申请二氧化硅和钛高选择性蚀刻液专利，有效提高器件生产良率
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2026-03-17 16:29:19
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国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种二氧化硅和钛的高选择性蚀刻液”的专利，公开号CN121652807A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种二氧化硅和钛的高选择性蚀刻液，该蚀刻液按质量百分数计，包括以下成分：8‑12%的氢氟酸、26‑30%的含氮烷基酰胺溶剂、0.01‑0.1%的表面活性剂，余量为超纯水；其中表面活性剂为单脂肪酸甘油酯。通过含氮烷基酰胺溶剂与单脂肪酸甘油酯的协同使用，蚀刻液的表面张力低，溶解性优，对硅表面浸润性好，对于深孔侧壁二氧化硅介质去除干净。更为重要的是，该蚀刻液可以显著抑制金属钛膜层的蚀刻，二氧化硅与钛的蚀刻选择比高于50，有效提高器件生产的良率。
天眼查资料显示，湖北兴福电子材料股份有限公司，成立于2008年，位于宜昌市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目205次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息473条，此外企业还拥有行政许可287个。
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来源：市场资讯
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