南亚科技申请半导体结构及其形成方法专利,提高字元线的性能
创始人
2026-03-22 03:21:34
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国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121711992A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板及字元线。字元线嵌入基板中,字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层,其中高功函数层的平均功函数大于低功函数层的平均功函数,低功函数层包括下部及在下部上的上部,以及下部的平均晶粒尺寸小于上部的平均晶粒尺寸。半导体结构提高字元线的性能,例如减少电流泄漏、减少栅极引发漏极漏电流、增加字元线中的掺杂剂、降低电阻等。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

来源:市场资讯

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