国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121711992A,申请日期为2024年11月。
专利摘要显示,本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板及字元线。字元线嵌入基板中,字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层,其中高功函数层的平均功函数大于低功函数层的平均功函数,低功函数层包括下部及在下部上的上部,以及下部的平均晶粒尺寸小于上部的平均晶粒尺寸。半导体结构提高字元线的性能,例如减少电流泄漏、减少栅极引发漏极漏电流、增加字元线中的掺杂剂、降低电阻等。
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来源:市场资讯
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